利用半導體化的陶瓷外表面或晶粒間的內表面（晶界）上形成的絕緣層為電容器介質的電子陶瓷。其中利用陶瓷晶界層的介電性質而制成的邊界層電容器是一類新型的高性能、高可靠的電容器，它的介電損耗小、絕緣電阻及工作電壓高。半導體電容器瓷主要有BaTiO3及SrTiO3兩大類。在以BaTiO3、SrTiO3或二者的固溶體為主晶相的陶瓷中，加入少量主摻雜物（如Dy2O3等）和其他添加物，在特殊的氣氛下燒成后，即可得到N型半導體陶瓷。然后，再在表面上涂覆一層氧化物漿料（如CuO等），通過熱處理使氧化物向陶瓷的晶界擴散，最終在半導體的所有晶粒之間形成一絕緣層。這種陶瓷的視在介電常數極高（可達 105以上）、介質損耗小（小于1%）、體電阻率高（高于 1011歐·厘米）、介質色散頻率高（高于1吉赫）、抗潮性好，是一種高性能、高穩定的電容器介質。 鐵電陶瓷  以鐵電性晶體為主晶相的電子陶瓷。已發現的鐵電晶體不下千種，但作為鐵電陶瓷主晶相的主要有鈣鈦礦或準鈣鈦礦型的鐵電晶體或固溶體。 在一定的溫度范圍內晶體中存在著可隨外加電場而轉變方向的自發極化，這就是晶體的鐵電性。當溫度超過某一臨界值──居里溫度TC時，其極化強度下降為零，晶體即失去鐵電性，而成為一般的順電晶體；與此同時，晶體發生鐵電相到順電相的相變。鐵電體的極化強度還隨電場而劇烈變化