通過半導體化措施使陶瓷具有半導電性晶粒和絕緣性（或半導體性）晶界，從而呈現很強的界面勢壘等半導體特性的電子陶瓷。

陶瓷半導體化的方法主要有強制還原法和施主摻雜法（亦稱原子價控法）兩種。兩種方法都是在陶瓷的晶體中形成離子空位等缺陷，從而提供大量導電電子，使陶瓷中的晶粒成為某種類型（通常是 N型）的半導體。而這些晶粒之間的間層為絕緣層或另一類型（P 型）的半導體層。

半導體陶瓷種類很多，其中包括利用半導體瓷中晶粒本身性質制成的各種負溫度系數熱敏電阻；利用晶界性質制成的半導體電容器、ZnO 壓敏電阻器、BaTiO3系正溫度系數熱敏電阻器、CdS/Cu2S太陽能電池；以及利用表面性質制成的各種陶瓷型濕敏電阻器和氣敏電阻器等。表2列出典型的傳感器用半導體陶瓷。

CdS/Cu2S系光電陶瓷不同于上表所列的利用絕緣晶界層性質的半導體瓷，它所利用的是N型CdS與P型Cu2S晶界層之間的PN異質結的光伏效應。用它制成的陶瓷太陽能電池，可以作為無人值守臺站的電源，也可作為電子儀器中的光電耦合器件。